研究会

公益社団法人応用物理学会
半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会

Industry-academia collaboration committee on semiconductor crystal growth, processing and characterization, The Japan Society of Applied Physics (JSAP)
研究会

【次回】第16回「持続可能な太陽光発電に向けて：ペロブスカイト・シリコンタンデム太陽電池の研究開発動向」
日時：2026 年 11 月 6 日（金）13:00〜17:45
場所：明治大学駿河台キャンパスリバティータワー12階 1126教室
世話人：棚橋克人（産業技術総合研究所），大下祥雄（豊田工業大学），宇佐美徳隆（名古屋大学），小椋厚志（明治大）
プログラム：
原稿：
第15回「再考・シリコンパワー半導体 ―先端技術と新展開―」
日時：2026 年 8 月 17 日（月）13:00～17:25
場所：明治大学駿河台キャンパスグローバルフロント１階グローバルホール
世話人：横山竜介（株式会社 SUMCO）、西澤伸一（九州大）
プログラム：こちらをご覧ください。
原稿：こちらからダウンロードしてください。
第14回「酸化物半導体を用いたバックエンド・オブ・ライン（BEOL）デバイス応用の進展」
日時：2026年6月30日(火) 13:00-16:50
場所：明治大学駿河台キャンパスグローバルフロント１階グローバルホール
世話人：森田行則（産総研）、横川凌（広大）
プログラム：こちらをご覧ください。
原稿：こちらからダウンロードしてください。
第13回 「窒化物半導体の先端分析・評価技術の最前線」
日時：2026 年3月9日（月）13:00～17:30
場所：明治大学駿河台キャンパスグローバルフロント１階グローバルホール
世話人：上田修（明治大）、酒井朗（大阪大）、三宅秀人（三重大）、出浦桃子（早稲田大）
プログラム：こちらをご覧ください。
原稿：こちらからダウンロードしてください。
第12回「2nm以細世代へ向けたGAA積層ナノシートFETの新技術」
日時：2025 年 12 月 17 日(水) 13:00-17:25
場所：明治大学駿河台キャンパスグローバルフロント１階グローバルホール
世話人：森田行則（産総研）、泉妻宏治(グローバルウェーハズ・ジャパン)、横川凌（広島大）、深田直樹（NIMS）
プログラム：こちらをご覧ください。
原稿：こちらからダウンロードしてください。
第11回「半導体インフォマティクス -関連素材 MI から製造プロセス PI まで-」
日時：2025 年 8 月 7 日(木) 13:00-17:25
場所：明治大学駿河台キャンパスグローバルホール（グローバルラウンジ）
世話人：沓掛健太朗（名古屋大学）、泉妻宏治（グローバルウェーハズ・ジャパン）、深田直樹（NIMS）
プログラム：こちらをご覧ください．
原稿：こちらからダウンロードしてください．
第10回「ワイドギャップ酸化物半導体Ga₂O₃の成長、評価、およびデバイス応用の新展開」
日時：2025 年6月27日（金）13:00-17:30
場所：明治大学駿河台キャンパスグローバルフロント１階多目的室
世話人：太子敏則（信州大）、上田修（明治大）
プログラム：こちらをご覧ください．
原稿：こちらからダウンロードしてください．
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第15回「再考・シリコンパワー半導体 ―先端技術と新展開―」

第14回「酸化物半導体を用いたバックエンド・オブ・ライン（BEOL）デバイス応用の進展」

第13回「窒化物半導体の先端分析・評価技術の最前線」

第12回「2nm以細世代へ向けたGAA積層ナノシートFETの新技術」

第11回「半導体インフォマティクス -関連素材 MI から製造プロセス PI まで-」

第10回「ワイドギャップ酸化物半導体Ga₂O₃の成長、評価、およびデバイス応用の新展開」

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【次回】第16回「持続可能な太陽光発電に向けて：ペロブスカイト・シリコンタンデム太陽電池の研究開発動向」

第15回「再考・シリコンパワー半導体 ―先端技術と新展開―」

第14回 「酸化物半導体を用いたバックエンド・オブ・ライン（BEOL）デバイス応用の進展」

第13回 「窒化物半導体の先端分析・評価技術の最前線」

第12回「2nm以細世代へ向けたGAA積層ナノシートFETの新技術」

第11回「半導体インフォマティクス -関連素材 MI から製造プロセス PI まで-」

第10回「ワイドギャップ酸化物半導体Ga2O3の成長、評価、およびデバイス応用の新展開」

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第14回「酸化物半導体を用いたバックエンド・オブ・ライン（BEOL）デバイス応用の進展」

第13回「窒化物半導体の先端分析・評価技術の最前線」

第10回「ワイドギャップ酸化物半導体Ga₂O₃の成長、評価、およびデバイス応用の新展開」